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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 27,4 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro
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pezzo
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N. Articolo:
3369E-1723395
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTH027N65S3F-F155
EAN/GTIN:
5059042146349
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 75 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = TO-247
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 27,4 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5V
Tensione di soglia gate minima = 3V
Dissipazione di potenza massima = 595 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 4.82mm
Minima temperatura operativa = -55 °CV
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
75 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
NTH027N65S3F
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
27,4 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
595 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.87mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
1723395
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTH027N65S3FF155
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