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MOSFET ON Semiconductor, canale N, 23 mΩ, 75 A, TO-247-4, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1723421
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCH023N65S3L4
EAN/GTIN:
     5059042283341
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.700 V a TJ= 150 °C Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC) Minore perdita di commutazione Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF) Minore perdita di commutazione Capacità ottimizzata Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore RDS(on) = 62 mΩ Garanzia di saldatura a onda Elaborazione Telecomunicazioni Industriale Telecomunicazioni/Server Inverter solari/UPS EVC
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
75 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247-4
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
23 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
595 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.8mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1723421, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FCH023N65S3L4
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