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Articolo
MOSFET Microchip, canale N, 5,3 Ω, 200 mA, TO-92, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1779588
Produttore:
Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
2N7000-G
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
2N7000 è un transistor (normalmente inattivo) in modalità potenziata che utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dellalimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, unelevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.Privi di scarica secondaria Basso requisito di potenza di azionamento Facilità di collegamento in parallelo Basso CISS e rapida velocità di commutazione Stabilità termica eccellente Diodo source-drain integrato Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
200 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TO-92
Serie:
2N7000
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
5,3 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Tensione di soglia gate minima:
0.8V
Dissipazione di potenza massima:
1 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
30 V
Lunghezza:
5.08mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor di potenza
,
1779588
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Microchip
,
2N7000G
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