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NEXPERIA PSMN2R6-40YS,115 MOSFET, CANALE N, 40V, 100A, SOT669


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N. Articolo:
     8585-1785636
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN2R6-40YS,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.002 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOT-669 Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 131 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, NEXPERIA, PSMN2R6-40YS,115, 1785636, 178-5636
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