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VISHAY SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET, CANALE N, 100V, 95A, 150°C, 125W


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N. Articolo:
     8585-2932900
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIDR668DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.004 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 95 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SIDR668DP-T1-GE3, 2932900, 293-2900
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