Transistor a effetto campo  (7.530 offerte tra 5.510.862 articoli)

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2.9 A Gamma di prodotti - Numero di pin 12 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain conti...

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a cana...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.007 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tra...

80 V, MOSFET Trench a canale N singolo. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore di media potenza in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-M...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...

30V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT...

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.1 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua...

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.065 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensio...

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabili...

Tensione Drain Source Vds 12 V Dissipazione di potenza 1.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensione di ...

MOSFET per uso automobilistico. La più grande gamma al mondo di MOSFET di potenza AEC-Q101. Una conoscenza approfondita dei requisiti di sistema per il settore automobilistico e capacità tecnica co...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.116 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tran...