Acquista Transistor a effetto campo a prezzi convenienti su Mercateo (Pagina 116/502)

Immagine

Articolo

N. Art. Produtt.

Prezzo

Ordina

MOSFET onsemi, canale N, 13,5 Ω, 280 mA, SOT-563, Montaggio superficiale (1 offerta)

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare bre...

onsemi

2N7002V

a partire da € 7,77*
per 50 pezzi

DIODES INC. DMG6602SVTQ-7 MOSFET, AECQ101, COMPLEMENT, 30V, TSOT26 (1 offerta)

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensio...

Diodes

DMG6602SVTQ-7

a partire da € 0,0764*
per pezzo

MOSFET onsemi, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-363, Montaggio superficiale (1 offerta)

onsemi

2N7002DW

a partire da € 248,16*
per 3.000 pezzi

DIODES INC. DMN10H120SFG-7 MOSFET, CAN N, 100V, 3.8A, POWERDI 3333 (2 offerte)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.068 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

Diodes

DMN10H120SFG-7

a partire da € 0,213*
per pezzo

MOSFET Nexperia, canale N, 33 mΩ, 8,6 A, TO-236, Montaggio superficiale (2 offerte)

Soluzioni di commutazione per i vostro progetti portatili. È possibile scegliere tra unampia gamma di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS c...

Nexperia

PMV16XNR

a partire da € 0,0708*
per pezzo

DIODES INC. DMN10H220LE-13 MOSFET, CANALE N, 100V, 6.2A, SOT-223 (2 offerte)

Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 14 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V S...

Diodes

DMN10H220LE-13

a partire da € 0,133*
per pezzo

MOSFET Nexperia, canale N, 8,3 mΩ, 75 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (2 offerte)

FET TrenchMOS a canale N di livello logico. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Q...

Nexperia

BUK964R4-40B,118

a partire da € 1,211*
per pezzo

DIODES INC. DMHC4035LSD-13 MOSFET, CANALE N/P, 40V, 4.5A (2 offerte)

Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.5 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua...

Diodes

DMHC4035LSD-13

a partire da € 0,341*
per pezzo

MOSFET onsemi, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro (2 offerte)

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

onsemi

MTP3055VL

a partire da € 0,64*
per pezzo

DIODES INC. DMN10H170SVT-7 MOSFET, CANALE N, 100V, 2.6A, TSOT-26 (2 offerte)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.115 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

Diodes

DMN10H170SVT-7

a partire da € 0,146*
per pezzo

MOSFET onsemi, canale N, 13,5 Ω, 280 mA, SOT-563, Montaggio superficiale (2 offerte)

onsemi

2N7002V

a partire da € 0,118*
per pezzo

DIODES INC. DMN10H220LVT-7 MOSFET, CANALE N, 100V, 2.24A, TSOT-26 (2 offerte)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.172 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

Diodes

DMN10H220LVT-7

a partire da € 0,161*
per pezzo

MOSFET Nexperia, canale N, 34 mΩ, 6,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale (2 offerte)

20 V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SO...

Nexperia

PMV20XNEAR

a partire da € 0,485*
per 5 pezzi

DIODES INC. DMHT6016LFJ-13 MOSFET, CANALE N, 60V, 10.6A (1 offerta)

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 10.6 A Gamma di prodotti - Numero di pin 12 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain contin...

Diodes

DMHT6016LFJ-13

a partire da € 0,819*
per pezzo

MOSFET Nexperia, canale N, 87 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale (1 offerta)

MOSFET a canale N da 25 V - 30 V. Ottime prestazioni grazie al know-how tecnologico avanzato. MOSFET facili da usare e operativi nella gamma da 25 a 30 V. Perfetti per applicazioni con criticità di...

Nexperia

PMXB56ENZ

a partire da € 468,45*
per 5.000 pezzi

Articoli per pagina: 10 15 20 50 100

Pagina: Indietro 1 .. 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 .. 502 Avanti

Transistor a effetto campo (7.530 offerte tra 5.510.862 articoli)

"Transistor a effetto campo"