Categorie
My Mercateo
Accedi / Registrati
Carrello
 
 
 >  >  >  >  > Transistor a effetto campo

  Transistor a effetto campo  (7.527 offerte tra 5.357.796 articoli)

I seguenti filtri aiutano ad affinare ulteriormente la ricerca di "Transistor a effetto campo" in base alle tue necessità:
Filtra: Prezzo dafino a  Parola 
Funzioni
☐
Quadro generale

"Transistor a effetto campo"

Macrocategorie
Sottocategorie
Visualizzazione
☐
☐
☐
☐
Immagine
Ordina
Indietro
MOSFET onsemi, canale N, 2 Ω, 280 mA, SOT-23, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
NDS7002A
a partire da € 1,06*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMN1004UFDF-7 MOSFET, CANALE N, 12V, 15A, U-DFN2020 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0041 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tr...
Diodes
DMN1004UFDF-7
a partire da € 0,151*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
NDS355AN
a partire da € 0,715*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMN10H220LFVW-7 MOSFET, CAN N, 100V, 11A, POWERDI 3333 (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.164 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio s...
Diodes
DMN10H220LFVW-7
a partire da € 0,104*
per pezzo
 
 pezzi
MOSFET Nexperia, canale N, 34 mΩ, 6,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale (2 offerte) 
20 V, MOSFET Trench a canale N. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SO...
Nexperia
PMV20XNEAR
a partire da € 0,485*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMN2011UFDE-7 MOSFET, CANALE N, 20V, 11.7A, U-DFN2020 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0065 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tr...
Diodes
DMN2011UFDE-7
a partire da € 0,197*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Nexperia, canale P, 880 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a cana...
Nexperia
PMXB65UPEZ
a partire da € 0,2935*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMN10H099SFG-7 MOSFET, CAN N, 100V, 4.2A, POWERDI 3333 (3 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.054 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMN10H099SFG-7
a partire da € 0,227*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 230 mΩ, 1,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale (5 offerte) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
NDS355AN
a partire da € 0,139*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMN15H310SE-13 MOSFET, CANALE N, 150V, 7.1A, SOT-223 (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.178 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMN15H310SE-13
a partire da € 0,425*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET onsemi, canale N, 3,5 Ω, 220 mA, SOT-23, Montaggio superficiale (3 offerte) 
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...
onsemi
BSS138
a partire da € 0,0455*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMN2015UFDF-7 MOSFET, CANALE N, 20V, 11.6A, U-DFN2020 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0068 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N...
Diodes
DMN2015UFDF-7
a partire da € 0,132*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Nexperia, canale N, 8,1 Ω, 335 mA, TO-236, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. Prova i nostri MOSFET solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio ...
Nexperia
BSH111BKR
a partire da € 6,54*
per 100 pezzi
 
 pacchetto
DIODES INC. DMN10H120SFG-13 MOSFET, CAN N, 100V, 3.8A, POWERDI 3333 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.068 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMN10H120SFG-13
a partire da € 0,217*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Nexperia, canale P, 950 mΩ, 2,9 A, DFN1010D-3, SOT1215, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore di plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per disposit...
Nexperia
PMXB75UPEZ
a partire da € 4,30*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
Avanti
Articoli per pagina: 10   15   20   50   100    Pagina: Indietro   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   502   Avanti

Ricerca prodotti simili: FACT®Finder di Omikron
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217