 | | | | |
Immagine | | | | Ordina |
|
|
|
|
Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 |
a partire da € 1,767*
per pezzo |
|
|
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 55, TO-247GE (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 55 Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT60TS65DGC13 |
a partire da € 1,767*
per pezzo |
|
|
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO263-3 (2 offerte) Transistor bipolare a gate isolato a bassa perdita Infineon con tecnologia trenchstop e fieldstop.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettroma... |
|
a partire da € 1,768*
per pezzo |
|
|
|
|
a partire da € 1,775*
per pezzo |
|
|
IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, TO-247 (2 offerte) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGWA30IH65DF |
a partire da € 1,78*
per pezzo |
|
|
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Il transistor bipolare a gate isolato ad alta velocità Infineon è stato copacked con diodo antiparallelo Rapid 1 a corrente nominale completa e ha anche una tensione di scarica distruttiva di 650V.... |
|
a partire da € 1,789*
per pezzo |
|
|
IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = TO-247 |
|
a partire da € 1,794*
per pezzo |
|
|
IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247N (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = TO-247N |
|
a partire da € 1,794*
per pezzo |
|
|
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 282 W Tipo di package = PG-TO247-3 |
|
a partire da € 1,795*
per pezzo |
|
|
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG... |
|
a partire da € 1,799*
per pezzo |
|
|
|
|
a partire da € 1,808*
per pezzo |
|
|
|
ST Microelectronics STGW30V60DF |
a partire da € 1,83*
per pezzo |
|
|
IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (1 offerta) Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 210 W Tipo di package = PG-TO247-3 Numero pin = 3 |
|
a partire da € 1,834*
per pezzo |
|
|
|
Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 |
a partire da € 1,835*
per pezzo |
|
|
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Transistor bipolare a gate isolato Infineon di quinta generazione con bassa tensione di saturazione.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettro... |
|
a partire da € 1,84*
per pezzo |
|
|
