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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 62 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = PG-TO220 Tipo di canale = ... |
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a partire da € 98,43*
per 50 pezzi |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 38 A, TO-220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 38 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 130 W Tipo di package = TO-220-3 |
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a partire da € 1,902*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale N, PG-TO220 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 30V Dissipazione di potenza massima = 255 W Tipo di package = PG-TO220 Ti... |
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a partire da € 2,072*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 38 A, TO-220-3 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 38 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-220-3 |
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a partire da € 1,309*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 65 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 65 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 160 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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a partire da € 1,684*
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Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 |
a partire da € 1,835*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3 (2 offerte) Transistor bipolare a gate isolato di quinta generazione serie di interruttori ad alta velocità Infineon con bassa carica di gate.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabil... |
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a partire da € 1,662*
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Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 |
a partire da € 54,8202*
per 30 pezzi |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) Infineon IKP40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES... |
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a partire da € 2,195*
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Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 |
a partire da € 2,31*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3 (2 offerte) Il transistor bipolare a gate isolato con tecnologia H5 Infineon ad alta velocità offre lefficienza migliore della categoria nelle topologie a commutazione e risonanza difficili.Elevata efficienza ... |
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a partire da € 4,20*
per pezzo |
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Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 |
a partire da € 62,3502*
per 30 pezzi |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG... |
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a partire da € 1,799*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 282 W Tipo di package = PG-TO247-3 |
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a partire da € 2,61*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG... |
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a partire da € 1,889*
per pezzo |
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