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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 34 A, PG-TO247-3-AI (1 offerta) La serie di transistor bipolari a gate isolato ad alta velocità Infineon con diodo antiparallelo rapido e morbido in contenitore completamente isolato.Elevata efficienza Basse perdite di commutazio... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
a partire da € 3,269*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, PG-TO263-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 41 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = PG-TO263... |
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a partire da € 1,22*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 34 A, PG-TO247-3-AI (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 34 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 111 W Tipo di package = PG... |
Infineon IKFW40N60DH3EXKSA1 |
a partire da € 2,46*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = PG-TO247... |
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a partire da € 1,313*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO-220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = PG-TO-22... |
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a partire da € 1,178*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 5,7 A, PG-SOT223-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 5,7 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 6,3 W Tipo di package = PG-SOT223-3 |
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a partire da € 0,426*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO-220-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = PG-TO-22... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 41 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = PG-TO263... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato Infineon con diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interfer... |
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a partire da € 3,593*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 53 A, PG-TO247-3-AI (2 offerte) Il transistor bipolare a gate isolato Infineon è stato copacked con un diodo antiparallelo Rapid 1 rapido e soft in un contenitore completamente isolato.Elevata efficienza Basse perdite di commutaz... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = PG-TO263... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Il transistor bipolare a gate isolato Infineon è dotato di tecnologia fieldstop con diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commu... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO263-3 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = PG-TO263-3 Tipo di mont... |
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