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ST Microelectronics STGWA50HP65FB2 |
a partire da € 1,48*
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IGBT Vishay, VCE 600 V, IC 359 A, canale N, SOT-227 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 359 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ± 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = SOT-227 Tipo di montagg... |
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a partire da € 248,19*
per 10 pezzi |
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ST Microelectronics STGWA20HP65FB2 |
a partire da € 1,852*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-247 (3 offerte) Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 20 A, ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
a partire da € 1,40*
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a partire da € 3.044,10*
per 3.000 pezzi |
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IGBT Vishay, VCE 600 V, IC 81 A, canale N, SOT-227 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 81 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ± 20V Dissipazione di potenza massima = 231 W Tipo di package = SOT-227 T... |
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a partire da € 233,87*
per 10 pezzi |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-220 (1 offerta) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGP20H65DFB2 |
a partire da € 1,396*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-220FP (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 50 W Tipo di package = TO-220FP Nu... |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
a partire da € 0,855*
per pezzo |
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a partire da € 0,283*
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IGBT Vishay, VCE 650 V, IC 247 A, canale N, INT-A-PAK (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 247 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ± 20V Dissipazione di potenza massima = 517 W Tipo di package = INT-A-PA... |
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a partire da € 66,567*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 147 W Tipo di package = TO-247 Num... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
a partire da € 2,251*
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ST Microelectronics STGH30H65DFB-2AG |
a partire da € 1,709*
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a partire da € 0,326*
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IGBT Vishay, VCE 650 V, IC 476 A, canale N, INT-A-PAK (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 476 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ± 20V Dissipazione di potenza massima = 1 kW Tipo di package = INT-A-PAK... |
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a partire da € 94,853*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-220FP (1 offerta) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
a partire da € 1,533*
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