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ST Microelectronics STGYA50H120DF2ST |
a partire da € 5,159*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWA25IH135DF2 |
a partire da € 2,821*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWA30HP65FB |
a partire da € 2,45*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 85, TO-247GE (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 85 Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 2,77 mW Configurazione = Single |
ROHM Semiconductor RGT00TS65DGC13 |
a partire da € 3,615*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWA35IH135DF2 |
a partire da € 3,209*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 15 A, SDIP2B (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 15 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 600V Dissipazione di potenza massima = 0,07 mW Tipo di package = SDIP2B N... |
ST Microelectronics STGIB10CH60TS-LZ |
a partire da € 7,37*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWA40IH65DF |
a partire da € 3,073*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 88 A, TO-247GE (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 88 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS00TS65GC13 |
a partire da € 1.462,644*
per 600 pezzi |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 20 A, SDIP2B (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 600V Dissipazione di potenza massima = 0,08 mW Tipo di package = SDIP2B N... |
ST Microelectronics STGIB15CH60TS-LZ |
a partire da € 9,29*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 115 A, TO-247 (1 offerta) Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 75 A ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,5... |
ST Microelectronics STGWA75H65DFB2 |
a partire da € 4,169*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-220FP (1 offerta) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGF20H65DFB2 |
a partire da € 1,26*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 750 W Tipo di package = Max247 T... |
ST Microelectronics STGYA75H120DF2 |
a partire da € 7,39*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGP7NC60HD |
a partire da € 0,581*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 145 A, TO-247 (3 offerte) Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 100 A, ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1... |
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
a partire da € 4,03*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGB30H65DFB2 |
a partire da € 1,05*
per pezzo |
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