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IGBT, 900V, 20A, TO-220 (2 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXYP8N90C3, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=3 V, Corrente di collettore continua (Ic)=20 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA, Dis... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 164 A, canale N, PLUS264 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 6 A, canale N, TO-220 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 188 A, canale N, PLUS247 (2 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247 (2 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 134 A, canale N, SOT-227B (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 38 A, canale N, TO-220 (2 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 78 A, canale N, TO-247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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