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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, canale N, TO-220 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 41 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = TO-220 Tip... |
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a partire da € 1,14* per pezzo |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 88 A, canale N, SOT-227B (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247AD (1 offerta) IGBT in pacchetto combinato oltre 21 A, Infineon. I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di Infineon offrono all'utente una gamma completa di opzioni per un'ampia varietà di applicazioni. I va... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 53 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT, 1.6kV, 30A, TO-247 (3 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IHW30N160R5XKSA1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=1.85 V, Corrente di collettore continua (Ic)=30 A, Corrente di dispersione emettitore=10... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD (3 offerte) Gli IGBT IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) con correnti nominali da 29 A a 178 A sono particolarmente adatti per applicazioni di conversione ad alta tensione e ad alta velocità. Progettati uti... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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