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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 152 A, canale N, SOT-227B (2 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 240 A, canale N, PLUS247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247 (2 offerte) Tecnologia a lamelle sottili XPT™ Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Pacchetti per alta tensione con standard... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 58 A, canale N, ISOPLUS247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 90 A, canale N, TO-247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 100 A, TO247AD (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO247AD Tipo di ... |
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IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 937 W Tipo di package = P... |
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IGBT IXYS, VCE 2500 V, IC 95 A, TO-268HV (1 offerta) Tecnologia a lamelle sottili XPT™ Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Pacchetti per alta tensione con standard... |
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IGBT IXYS, VCE 2500 V, IC 95 A, PLUS247 (1 offerta) Tecnologia a lamelle sottili XPT™ Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Pacchetti per alta tensione con standard... |
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IGBT IXYS, VCE 2500 V, IC 95 A, TO-268HV (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 2500 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 937 W Tipo di package = TO... |
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IGBT IXYS, VCE 2500 V, IC 95 A, TO247HV (1 offerta) Tecnologia a lamelle sottili XPT™ Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Pacchetti per alta tensione con standard... |
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