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93%

IGBT IXYS, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264 (1 offerta)

IGBT Discreti, IXYS

IXYS

IXXK110N65B4H1

a partire da € 11,902*
per pezzo

93%

IGBT IXYS, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264 (1 offerta)

IGBT Discreti, IXYS

IXYS

IXXK110N65B4H1

a partire da € 344,98*
per 25 pezzi

93%

IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247 (2 offerte)

IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

onsemi

NGTB25N120FL3WG

a partire da € 3,141*
per pezzo

93%

IGBT Littelfuse, VCE 365 V, IC 50 A, canale N, D2PAK (TO-263) (2 offerte)

IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

Littelfuse

NGB8207ABNT4G

a partire da € 0,89*
per pezzo

93%

IGBT Littelfuse, VCE 365 V, IC 50 A, canale N, D2PAK (TO-263) (1 offerta)

IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

Littelfuse

NGB8207ABNT4G

a partire da € 8,45*
per 5 pezzi

93%

IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-3PN (2 offerte)

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor

onsemi

FGA60N65SMD

a partire da € 2,904*
per pezzo

93%

IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247 (1 offerta)

IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

onsemi

NGTB25N120FL3WG

a partire da € 88,1001*
per 30 pezzi

93%

IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-3PF (2 offerte)

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor

onsemi

FGAF40N60SMD

a partire da € 2,99*
per pezzo

93%

IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (2 offerte)

IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

onsemi

NGTB40N65FL2WG

a partire da € 2,84*
per pezzo

93%

IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 160 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 454 W Tipo di package = TO-247 T...

onsemi

FGH40T120SQDNL4

a partire da € 4,694*
per pezzo

93%

IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (TO-263) (3 offerte)

IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor

onsemi

HGT1S10N120BNST

a partire da € 1,48*
per pezzo

93%

IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 375 W Tipo di package = TO-247 Ti...

onsemi

FGH75T65SQDNL4

a partire da € 4,911*
per pezzo

93%