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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 0,17A; 0,225W; SOT23


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 0,17A; 0,225W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 0,17A; 0,225W; SOT23
N. Articolo:
     5068-BVSS123LT1G
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     BVSS123LT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 0,17A
Resistenza nello stato di conduzione: 6Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,225W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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