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ONSEMI BSS123L MOSFET, CANALE-N, 100V, 0.17A, SOT-23-3


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N. Articolo:
     8585-2985357
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     BSS123L
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.98 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 170 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 360 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.405 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ONSEMI, BSS123L, 2985357, 298-5357
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