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IGBT IXYS, VCE 1700 V, IC 100 A, PLUS247 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 937 W Tipo di package = P...
IXYS
IXYX30N170CV1
a partire da € 18,867*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-3PF (2 offerte) 
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGAF40N60UFTU
a partire da € 1,818*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT STMicroelectronics, VCE 420 V, IC 30 A, canale N, D2PAK (TO-263) (3 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGB18N40LZT4
a partire da € 0,986*
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 pezzo
100%
IGBT IXYS, VCE 2500 V, IC 95 A, PLUS247 (1 offerta) 
Tecnologia a lamelle sottili XPT™ Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Pacchetti per alta tensione con standard...
IXYS
IXYX25N250CV1HV
a partire da € 33,507*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 455 W Tipo di package = TO-247 Ti...
onsemi
FGH75T65SHDTL4
a partire da € 3,544*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT IXYS, VCE 2500 V, IC 95 A, TO-268HV (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 2500 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 937 W Tipo di package = TO...
IXYS
IXYT25N250CHV
a partire da € 24,78*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT STMicroelectronics, VCE 475 V, IC 25 A, canale N, DPAK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 25 A Tensione massima collettore emitter = 475 V Tensione massima gate emitter = 16V Dissipazione di potenza massima = 125 W Tipo di package = DPAK Tipo d...
ST Microelectronics
STGD20N45LZAG
a partire da € 7,245*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
100%
IGBT IXYS, VCE 2500 V, IC 95 A, TO247HV (1 offerta) 
Tecnologia a lamelle sottili XPT™ Tensioni basse in stato attivo VCE(sat) Diodi a recupero rapido confezionati Coefficiente di temperatura positivo VCE(sat) Pacchetti per alta tensione con standard...
IXYS
IXYH25N250CHV
a partire da € 25,19*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-3PN (2 offerte) 
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGA40N65SMD
a partire da € 2,77*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, DPAK (TO-252) (1 offerta) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGD5H60DF
a partire da € 6,30*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
100%
IGBT IXYS, VCE 650 V, IC 570 A, canale N, TO-264 (1 offerta) 
IGBT Discreti, IXYS
IXYS
IXXK110N65B4H1
€ 373,825*
per 25 pezzi
 
 pacchetto
100%
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 70 A, canale N, TO-247 (1 offerta) 
IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
onsemi
NGTB35N65FL2WG
a partire da € 74,28*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
100%
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (2 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGW20V60DF
a partire da € 1,749*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT Littelfuse, VCE 365 V, IC 50 A, canale N, D2PAK (TO-263) (2 offerte) 
IGBT discreto, ON Semiconductor. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
Littelfuse
NGB8207ABNT4G
a partire da € 0,89*
per pezzo
 
 pezzo
100%
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 240 W Tipo di package = D2PAK Tipo...
onsemi
AFGB40T65SQDN
a partire da € 5,594*
per 2 pezzi
 
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