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  Transistor a effetto campo  (7.530 offerte tra 5.507.722 articoli)

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"Transistor a effetto campo"

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MOSFET Infineon, canale N, 0,28 Ω, 12 A, TO-252, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;...
Infineon
IPD60R280P7ATMA1
a partire da € 1,01*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMG8601UFG-7 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 20V, 6.1A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.1 A Resistenza RdsON canale N 0.017 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.017 ohm Dissipazione...
Diodes
DMG8601UFG-7
a partire da € 0,171*
per pezzo
 
 pezzo
Infineon
IRF1010ESTRLPBF
a partire da € 0,612*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMG4413LSS-13 MOSFET, CANALE P, 30V, 12A, SOIC (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0063 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P ...
Diodes
DMG4413LSS-13
a partire da € 0,323*
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 pezzo
MOSFET Taiwan Semiconductor, 2,5 m.Ω, 161 A, PDFN56 (1 offerta) 
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04LCR
a partire da € 1,664*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMG4468LK3-13 MOSFET, CANALE N, 30V, 9.7A, TO-252 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMG4468LK3-13
a partire da € 0,168*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0098 Ω, 60 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;...
Infineon
BSC098N10NS5ATMA1
a partire da € 0,737*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMG9933USD-13 MOSFET, DOPPIO, CAN P, 20V, 4.6A (2 offerte) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.6 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua...
Diodes
DMG9933USD-13
a partire da € 0,117*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,28 Ω, 9 A, TO-252, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;...
Infineon
IPD60R280CFD7ATMA1
a partire da € 1,119*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMG4496SSS-13 MOSFET, CANALE N, 30V, 10A, SOIC (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.016 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMG4496SSS-13
a partire da € 0,0922*
per pezzo
 
 pezzo
DIODES INC. DMG4800LK3-13 MOSFET, CANALE N, 30V, 10A, TO-252 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.012 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMG4800LK3-13
a partire da € 0,164*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Taiwan Semiconductor, 3,6 m.Ω, 124 A, PDFN56 (1 offerta) 
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effet...
Taiwan Semiconductor
TSM036N03PQ56
a partire da € 0,717*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMN1250UFEL-7 MOSFET, CANALE N, 12V, 2A, U-QFN1515 (1 offerta) 
Tensione drain-source (Vds) canale N 12 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2 A Gamma di prodotti - Numero di pin 12 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 12 V Corrente di drain continua ...
Diodes
DMN1250UFEL-7
a partire da € 0,312*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,035 Ω, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;...
Infineon
BSO604NS2XUMA1
a partire da € 1,202*
per pezzo
 
 pezzi
DIODES INC. DMG6402LDM-7 MOSFET, CANALE N, 30V, 5.3A, SOT-26 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...
Diodes
DMG6402LDM-7
a partire da € 0,0902*
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